اندازه‌گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌ زده از برخورد کشسان

سیلیکان متخلخل (PS) از حل الکتروشیمیایی سیلیکان در محلول HF+DMF به‌ دست می‌آید. در فرایند تشکیل حفره‌ها در سیلیکان، ترکیبات هیدروژن‌ دار در سطح دیواره‌های حفره‌ها ایجاد می‌شوند. در این تحقیق با اندازه‌گیری میزان هیدروژن در عمق نمونۀ PS، توزیع تخلخل در عمق نمونه تخمین زده شده است. با توجه با ناکارآمدی نرم‌افزارهای شبیه‌سازی متداول آنالیز با باریکۀ یونی، برنامۀ مناسبی برای شبیه‌سازی به روش مونت-کارلو نوشته شد تا نزدیک‌ترین توزیع به نتیجۀ آزمایش به‌ دست آید. غلظت هیدروژن در عمق نمونۀ متناسب با میزان تخلخل در نظر گرفته شده است. نتیجۀ به‌ دست‌ آمده نشان می‌دهد که بیشترین تخلخل برای نمونه ۹۰% بوده است که در عمق nm 139- 69 ایجاد شده است.