بررسی رفتار الکترونیکی یک مدار دیودی در معرض تابش برای آشکارسازی پرتوهای گاما

پرتوهای یون ساز میتوانند آثار دائمی یا موقت بر عملکرد مدارهای الکترونیکی داشته باشند. آثار موقت کـه در حـین تـابش دهـی ظـاهر شـوند، میتوان به عنوان نشانه ای از وجود پرتو یون ساز در محیط دانست که برای آشکارسازی پرتو یون ساز مفید هستند. در این مطالعه ، اثر فوتون هـای گاما بر جریان معکوس دیود در حالت با یاس معکوس و مقایسۀ آن با همان جریان در حالت بدون تابش مورد بررسی قرار گرفت تـا از این طریق ، امکان به کارگیری پیوند دیودی برای مصارف آشکارسازی بررسی شود. در مدار دیودی از یک دیود N۴٠٠١به صـورت سری با یک مقاومت بزرگ استفاده شده است . برای تأمین پتانسیل خارجی مدار دیودی از یک منبع تغذیه ولتاژ مستقیم گردید. بـرای اندازه گیری جریان اشباع معکوس و تغییرات جریان ناشی از تابش پرتو گاما، ولتاژ در دو سر مقاومت اندازه گیری شـد. نتـایج نشـان میدهند که یک مدار ساده دیودی تحت تأثیر تابش گاما دارای اختلاف معناداری در جریان اشباع معکـوس خـود، نسـبت بـه حالـت بدون تابش است ؛ بنابراین ، میتوان تغییرات مشاهده شده در جریان اشباع معکوس را در گام ساده اول ، به عنوان علامـت وجـود پرتـو گاما در محیط در نظر گرفت .